価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IPD50N03S207ATMA1 | 21,653 | 23h | |||||||||
| Mouser | 726-IPD50N03S2-07 | 7,429 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | IPD50N03S207ATMA1 | 15,343 | 326 | |||||||||
| Win Source | WS-158391 | 42,500 | 19 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | IPD50N03S207ATMA1 | 15,092 | 7 | Tape & Reel | 23h |
CADモデル
製造元 Infineon IPD50N03S207ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-01-31
LTD Date2025-07-31
関連部品
説明
Infineon IPD50N03S207ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
30V, N-Ch, 7.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
30V 50A 7.3m惟@10V,50A 136W 4V@85uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7.3 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation136 W
Rds On Max7.3 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント