Infineon IPD30N10S3L34ATMA1

Name: Infineon IPD30N10S3L34ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD30N10S3L34ATMA1

MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

$ 0.641

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	IPD30N10S3L34ATMA1	2,500	2500	Tape & Reel					0.540
Arrow Electronics		IPD30N10S3L34ATMA1	22,500	2500						0.508
Rochester Electronics		IPD30N10S3L34ATMA1	67,711					0.703	0.583	0.520	1h
DigiKey	3	IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND	23,958	1	Cut Tape	2.120	1.350	0.912	0.663	0.663
Newark		IPD30N10S3L34ATMA1	0	2500	Tape & Reel					0.730

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-02-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

LTB Date2024-01-15

LTD Date2025-01-15

説明

Infineon IPD30N10S3L34ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 100 V, 0.0258 ohm, 10 V, 1.7 V

Newark

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS-T Power-Transistor

Win Source

100V, N-Ch, 31 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

OPTIMOS-T POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.0418ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 100V, 30A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0258oh; Available until stocks are exhausted Alternative available

Farnell

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Infineon