Infineon IPD200N15N3GATMA1

Name: Infineon IPD200N15N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD200N15N3GATMA1

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

$ 1.056

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IPD200N15N3GATMA1	7,500	2500						0.741	3d
Newark	2	IPD200N15N3GATMA1	12	1	Cut Tape	3.040	2.040	1.490	1.490	1.490
Arrow Electronics	4	IPD200N15N3GATMA1	4,975	1		1.219	1.219	1.219	1.219	1.219
Rutronik		TMOS1140	15,000	2500						0.922	17h
Rochester Electronics		IPD200N15N3GATMA1	17,650					1.170	0.971	0.866	10h

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-05-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPD200N15N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

Semicontronic

The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

Infineon

MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

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