Infineon IPD135N03LGATMA1

Name: Infineon IPD135N03LGATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD135N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

$ 0.262

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD135N03LGATMA1	4,265	5	Cut Tape		0.543	0.377	0.334	0.334
Arrow Electronics		IPD135N03LGATMA1	12	1		0.161	0.158	0.158	0.158	0.158
Rutronik		TMOSP9749	5,000	2500						0.226	12h
DigiKey	3	IPD135N03LGATMA1CT-ND	19,703	1	Cut Tape	0.970	0.602	0.391	0.271	0.271
Avnet		IPD135N03LGATMA1	0	2500						0.151	7h

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element14 APAC

iiiC

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EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-10-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

説明

Infineon IPD135N03LGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET, N CH, 30A, 30V, PG-TO252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 30A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0113ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V;

Farnell

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

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