Infineon IPD122N10N3GATMA1

Name: Infineon IPD122N10N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD122N10N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

$ 0.66

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD122N10N3GATMA1	250	1	Cut Tape	2.080	1.100	0.917	0.917	0.917
Arrow Electronics	3	IPD122N10N3GATMA1	1,976	1		0.458	0.458	0.458	0.458	0.458
Future Electronics	2	IPD122N10N3GATMA1	22,500	2500	Tape & Reel					0.590
Rochester Electronics	2	IPD122N10N3GATMA1	1,638					0.767	0.636	0.567	20h
DigiKey	3	IPD122N10N3GATMA1CT-ND	27,670	1	Cut Tape	2.260	1.442	0.977	0.714	0.714

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2016-04-30

LTD Date2016-10-31

説明

Infineon IPD122N10N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.0122ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

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