価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD100N06S403ATMA2 | 1,877 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 2,500 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 2,500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | TMOS1452 | 20,000 | 2500 | 6h | ||||||||
| Rochester Electronics | IPD100N06S403ATMA2 | 347,623 | 23h |
CADモデル
製造元 Infineon IPD100N06S403ATMA2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
関連部品
InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
InfineonIPD048N06L3GBTMA1
115W 20V 37nC@ 4.5V 1N 60V 4.8m¦¸@ 10V 6.3nF@ 30V TO-252-3 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
STMicroelectronicsSTD65N55LF3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
InfineonIPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Diodes Inc.DMTH6010LK3-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 / N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
説明
Infineon IPD100N06S403ATMA2の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
60V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 100A, 150W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Ultra Low RDSon; Ultra High ID | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.4 nF
Max Dual Supply Voltage60 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max3.5 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height2.5 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント