Infineon IPB35N10S3L26ATMA1

Name: Infineon IPB35N10S3L26ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB35N10S3L26ATMA1

100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPB35N10S3L26ATMA1	170	1		0.844	0.844	0.844	0.844	0.844
Rochester Electronics		IPB35N10S3L26ATMA1	9,935					1.180	0.979	0.873	11h
DigiKey	3	448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND	6,718	1	Cut Tape	2.880	1.866	1.286	1.068	1.068
Future Electronics		IPB35N10S3L26ATMA1	0	1K	Tape & Reel				1.040	0.990
Farnell		IPB35N10S3L26ATMA1	41	1	Cut Tape	3.317*	2.153*	2.153*	2.153*	2.153*	10h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-05-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPB35N10S3L26ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

Verical

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0322ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 100V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0203Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB35N10S3L26ATMA1

Newark

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Infineon