Infineon IPB180N06S4H1ATMA2

Name: Infineon IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPB180N06S4H1ATMA2

60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS

$ 1.778

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPB180N06S4H1ATMA2	291	1	Cut Tape	4.750	3.140	2.240	1.940	1.940
Arrow Electronics	2	IPB180N06S4H1ATMA2	885	1		1.907	1.907	1.907	1.907	1.907
Rochester Electronics	2	IPB180N06S4H1ATMA2	814					1.640	1.470	1.380	23h
DigiKey	3	448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND	3,520	1	Cut Tape	4.940	3.263	2.314	2.010	2.010
Avnet		IPB180N06S4H1ATMA2	0	1K					1.627	1.585	2d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-03-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2016-12-01

LTD Date2017-06-01

説明

Infineon IPB180N06S4H1ATMA2の詳細は販売業者から提供されます。

60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Semicontronic

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:180A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Power Dissipation:250W; No. Of Pins:7Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB180N06S4H1ATMA2.

Newark

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Ultra low RDSon; Ultra high ID | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Infineon