価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB120N10S405ATMA1 | 32,203 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPB120N10S405ATMA1 | 8,983 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 448-IPB120N10S405ATMA1CT-ND | 10,329 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPB120N10S405ATMA1 | 0 | 7K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | IPB120N10S405ATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Infineon IPB120N10S405ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonIPB100N10S305ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
InfineonAUIRFS4310Z
MOSFET, N-CH, 100V, 127A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
InfineonAUIRFS4310ZTRL
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH110N10F7-2
N-channel 100 V, 4.9 mOhm typ., 110 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
説明
Infineon IPB120N10S405ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK / N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0042 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
100V, N-Ch, 5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet Single, 120A, 100V, 190W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB120N10S405ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Summary of Features: N-channel - Normal Level - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height4.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント