Infineon IPB065N15N3GATMA1

Name: Infineon IPB065N15N3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

$ 3.03

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IPB065N15N3GATMA1	2,000	1K					2.619	2.556	2d
Arrow Electronics		IPB065N15N3GATMA1	840	1		3.676	3.676	3.676	3.676	3.676
Future Electronics	2	IPB065N15N3GATMA1	1,000	1K	Tape & Reel				4.420	4.420
Rochester Electronics		IPB065N15N3GATMA1	421					2.650	2.370	2.230	23h
DigiKey	3	IPB065N15N3GATMA1CT-ND	4,431	1	Cut Tape	7.050	4.744	3.439	3.242	3.242

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Datasheet9ページ15年前

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia, South Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-01-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPB065N15N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

Semicontronic

The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

Infineon

MOSFET, N CH, 150V, 130A, TO-263-7; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 130A; Drain Source Voltage Vds: 150V; On Resistance Rds(on): 0.0052ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 300W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell