Infineon IPB042N10N3GATMA1

214KW 20V 88NC@ 10V 1N 100V 7.4M¦¸@ 6V, 4.2M¦¸@ 10V 6.32NF@ 50V TO-263 , 10MM*925CM*4.5MM
$ 0.936
Production
メーカーページデータシート

価格と在庫

すべての値下げ情報を見る
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB042N10N3GATMA12,1471Cut Tape
Arrow ElectronicsIPB042N10N3GATMA11,3721
Future Electronics
2
IPB042N10N3GATMA112,0001KTape & Reel
RutronikTMOSP968030,0001K
29m
DigiKey
3
IPB042N10N3GATMA1CT-ND18,6621Cut Tape

データシート & ドキュメント

Infineon IPB042N10N3GATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet11ページ15年前
Datasheet10ページ0年前

在庫履歴

3か月間の傾向:
+11.73%
Powered bySpectra logo

CADモデル

製造元 Infineon IPB042N10N3GATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
Component Search Engine
シンボルフットプリント
3Dダウンロード
EE Concierge
シンボルフットプリント
SnapEDA
フットプリント
ダウンロード
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia, Mexico, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

関連部品

VishaySUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
詳細
InfineonIPB035N08N3GATMA1
214W 20V 3.5V 88nC@ 10V 1N 80V 3.5m¦¸@ 10V 100A 6.1nF@ 40V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm
詳細
InfineonIPB083N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
詳細
InfineonIPB052N04N G
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
詳細
VishaySUM90N10-8M2P-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 100V 90A D2PAK
詳細
VishaySUM70040E-GE3
VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
詳細

説明

Infineon IPB042N10N3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

214KW 20V 88nC@ 10V 1N 100V 7.4m¦¸@ 6V,4.2m¦¸@ 10V 6.32nF@ 50V TO-263 , 10mm*925cm*4.5mm
Unikeyic (ICkey)
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N CH, 100V, 100A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7
element14 APAC
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon

画像

Augswan
TME
TME
RS
Future Electronics
LZChips

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • IPB042N10N3 G
  • IPB042N10N3 GATMA1
  • IPB042N10N3-G
  • IPB042N10N3G
  • SP000446880