Infineon IPB026N10NF2SATMA1

Name: Infineon IPB026N10NF2SATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB026N10NF2SATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPB026N10NF2SATMA1	800	800					1.256	1.210	2d
Arrow Electronics		IPB026N10NF2SATMA1	800	1		2.106	2.106	2.106	2.106	2.106
Future Electronics		IPB026N10NF2SATMA1	800	800	Tape & Reel				1.380	1.350
Rochester Electronics		IPB026N10NF2SATMA1	7,200					1.620	1.450	1.360	23h
DigiKey	3	448-IPB026N10NF2SATMA1CT-ND	1,871	1	Cut Tape	4.860	3.214	2.277	2.277	2.277

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IHS

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Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPB026N10NF2SATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Mosfet, N-Ch, 100V, 162A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB026N10NF2SATMA1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 100V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 2.6 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Infineon