サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-02-28
LTD Date2013-08-31
関連部品
InfineonIPB120N06S402ATMA2
60V, N-Ch, 2.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
説明
Infineon IPB021N06N3Gの詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
120 A 60 V 0.0021 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance23 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max2.1 mΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time79 ns
Turn-On Delay Time41 ns