Infineon IPB019N08NF2SATMA1

Name: Infineon IPB019N08NF2SATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB019N08NF2SATMA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPB019N08NF2SATMA1	940	1	Cut Tape	4.600	3.020	2.390	2.150	2.150
Arrow Electronics		IPB019N08NF2SATMA1	772	1		1.540	1.530	1.530	1.530	1.530
Future Electronics	3	IPB019N08NF2SATMA1	800	800	Tape & Reel				1.200	1.170
Rochester Electronics		IPB019N08NF2SATMA1	13,900					1.410	1.260	1.180	23h
DigiKey	2	448-IPB019N08NF2SATMA1CT-ND	121	1	Cut Tape	4.390	2.887	2.033	2.033	2.033

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Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPB019N08NF2SATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Mosfet, N-Ch, 80V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB019N08NF2SATMA1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 166A I(D), 80V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Infineon