Infineon IPB011N04NGATMA1

Name: Infineon IPB011N04NGATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB011N04NGATMA1

Transistor, Optimos 3 Power Mosfet, N-channel, Normal Level, 40V, 180A, TO263-7

$ 1.77

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IPB011N04NGATMA1	14,000					1.560	1.390	1.310	2h
RS (Formerly Allied Electronics)	IPB011N04N G	0	1K	Bulk				3.810	3.470	19h
Farnell	IPB011N04NGATMA1	6	1		5.080*	3.400*	3.400*	3.400*	3.400*	1h
Mouser	726-IPB011N04NG	7	1	Tape & Reel	4.410	2.950	2.270	1.770	1.770
Verical	IPB011N04NGATMA1	198	193					1.738	1.638

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-12-04

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon IPB011N04NGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 40V, 180A, TO263-7

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

Fly-Wing Technology

250W 20V 4V 188nC@ 10V 1N 40V 1.1m¦¸@ 10V 180A 16nF@ 20V TO-263 , 10mm*9.25mm*4.4mm

UnikeyIC

180 A 40 V 0.0011 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Ch 40V 180A OptiMOS3 TO263-7

RS APAC

N-CH 40V 180A 2mOhm TO263-3 RoHSconf

Rutronik

OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.

Infineon

MOSFET, N CH, 180A, 40V, PG-TO263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):850µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:180A; Power Dissipation Pd:250W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC