Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1

Name: Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPAN60R125PFD7SXKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPAN60R125PFD7SXKSA1	294	1		3.460	1.940	1.800	1.540	1.540
Rochester Electronics		IPAN60R125PFD7SXKSA1	442					1.370	1.140	1.010	6h
DigiKey		448-IPAN60R125PFD7SXKSA1-ND	6,981	1	Tube	3.440	3.440	1.555	1.167	1.008
Future Electronics	2	IPAN60R125PFD7SXKSA1	0	50	Tube			1.710	1.660	1.620
Avnet		IPAN60R125PFD7SXKSA1	0	500					1.090	1.008	2d

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-10-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Mosfet, N-Ch, 600V, 25A, To-220Fp Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPAN60R125PFD7SXKSA1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

INFINEON MOSFET IPAN60R125PFD7SXKSA1

RS APAC

MOS, Vds=650 V, 66 A, PG-TO 220

UnikeyIC

The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPAN60R125PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications. The IPAN60R125PFD7S in a TO-220 FullPAK narrow-lead package features RDS(on) of 125mOhm leading to low switching losses. The products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material (BOM) for the customer.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS™ PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS™ P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.

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