Infineon IPA086N10N3GXKSA1

Name: Infineon IPA086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPA086N10N3GXKSA1

Transistor, Optimos 3 Power Mosfet, N-channel, Normal Level, 100V, 8.6MOHM, 45A

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	50Y1996	21	1		2.670	2.010	1.350	1.080	1.020	20h
Newark		IPA086N10N3GXKSA1	21	1		0.244	0.244	0.244	0.244	0.244
Arrow Electronics	2	IPA086N10N3GXKSA1	6,007	1		2.847	2.847	1.252	0.923	0.830
RS (Formerly Allied Electronics)		IPA086N10N3 G	5	1	Bulk	0.290	0.290	0.290	0.290	0.290	10h
DigiKey		IPA086N10N3GXKSA1-ND	707	1	Tube	2.600	2.600	1.140	0.840	0.686

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPA086N10N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

TRANSISTOR, OPTIMOS 3 POWER MOSFET, N-CHANNEL, NORMAL LEVEL, 100V, 8.6MOHM, 45A

RS (Formerly Allied Electronics)

Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

Verical

45 A 100 V 0.0086 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N-CH, 100V, 45A, TO-220FP-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 45A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.7

Farnell

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon