Infineon IMBG120R181M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R181M2HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG120R181M2HXTMA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 14.9 A, 1.2 kV, 181.4 Milliohms, TO-263 (D2PAK), 7 Pins

$ 2.244

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IMBG120R181M2HXTMA1	1,000	1K					1.925	1.854	20h
Newark		IMBG120R181M2HXTMA1	100	1	Cut Tape	5.560	3.540	2.650	2.420	2.420
Future Electronics	2	IMBG120R181M2HXTMA1	15	1	Cut Tape	3.800	3.460	3.250	2.870	2.870
Rochester Electronics		IMBG120R181M2HXTMA1	401					2.070	1.850	1.740	18h
Arrow Electronics		IMBG120R181M2HXTMA1	690	1		2.779	2.441	2.325	2.244	2.244

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Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2024-11-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IMBG120R181M2HXTMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 14.9 A, 1.2 kV, 181.4 Milliohms, TO-263 (D2PAK), 7 Pins

EBV Elektronik

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

Verical

Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 14.9A, To-263Hv; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.9A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG120R181M2HXTMA1

Newark

The CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 181 mΩ G2 in a D2PAK-7L (TO-263-7) package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

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