Infineon IMBG120R140M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R140M1HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG120R140M1HXTMA1

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1200V 18A 7-Pin TO-263 T/R

$ 3.144

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	92AH5311	12	1		7.020	4.750	3.500	3.350	3.350	2d
Newark		IMBG120R140M1HXTMA1	12	1	Cut Tape	4.930	4.740	3.500	3.500	3.500
Arrow Electronics	2	IMBG120R140M1HXTMA1	990	1		4.661	4.661	4.661	4.661	4.661
Rochester Electronics		IMBG120R140M1HXTMA1	9,210					2.880	2.580	2.420	22h
DigiKey	2	448-IMBG120R140M1HXTMA1CT-ND	480	1	Cut Tape	7.440	5.023	3.655	3.526	3.526

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Hungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-09-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IMBG120R140M1HXTMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 1200V 18A 7-Pin TO-263 T/R

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1200V, 0.239ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 18A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:107W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG120R140M1HXTMA1

Newark

The CoolSiC™ 1200 V, 140 mΩ SiC MOSFET in a D2PAK-7L (TO-263-7) package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability in operation. The low power losses of CoolSiC technology, combined with .XT interconnection technology in a new 1200 V optimized SMD package, enables top efficiency and passive cooling potential in applications such as drives, chargers and industrial powers supplies.

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