Infineon IKW75N65RH5XKSA1

Name: Infineon IKW75N65RH5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKW75N65RH5XKSA1

Infineon IKW75N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3

$ 4.51

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Distributor	SKU		Min	Pkg
DigiKey	448-IKW75N65RH5XKSA1-ND	142	1	Tube	9.570	9.570	5.610	4.105	4.019
Newark	IKW75N65RH5XKSA1	796	1		10.560	6.890	6.190	6.190	6.190
Arrow Electronics	IKW75N65RH5XKSA1	55	1		8.865	5.470	5.361	5.361	5.361
Future Electronics	IKW75N65RH5XKSA1	0	30	Tube			4.440	4.280	4.210
Avnet	IKW75N65RH5XKSA1	0	240					4.231	4.019	5h

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IHS

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EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-07-27

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IKW75N65RH5XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Infineon IKW75N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3

TodayComponents

Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

IGBT, 650 V, 80 A, 395W, To-247, 1.65 Vsat

Avnet

Trans IGBTChip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

晶体管, IGBT, 650V, 80A, 395W, TO-247;

element14 APAC

IGBT 650V 75A +SIC-DIODE TO-247

Rutronik

Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:395W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKW75N65RH5XKSA1

Newark

650 V, 75 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ Schottky barrier diode in TO-247-3 package.The ultra-fast 650 V hard-switching TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT benefits very low switching losses at switching speed above 30 kHz.Combination of ultra-fast TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT with half-rated freewheeling SiC Schottky barrier diodes in CoolSiC™ Hybrid discrete enables unprecedented reduction of total switching losses and allows to increase significantly switching frequency.

Infineon