Infineon IKW50N60TFKSA1

Name: Infineon IKW50N60TFKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKW50N60TFKSA1

IGBT 600V 80A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 2.886

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	61M6736	829	1		6.110	3.590	2.990	2.830	2.830	3d
Newark		IKW50N60TFKSA1	829	1		6.140	3.590	3.020	2.830	2.830
Arrow Electronics	2	IKW50N60TFKSA1	8,694	1		4.949	3.221	2.767	2.337	2.337
DigiKey		IKW50N60TFKSA1-ND	160	1	Tube	7.180	7.180	4.111	2.942	2.748
Rochester Electronics		IKW50N60TFKSA1	215								14h

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

説明

Infineon IKW50N60TFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

IGBT 600V 80A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Win Source

600 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

IGBT, N, 600V, 50A, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:333W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:50A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:333W; Power Dissipation Pd:333W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC

Hard-switching 600 V, 50 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Infineon