Infineon IKW40N120T2FKSA1

Name: Infineon IKW40N120T2FKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKW40N120T2FKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 3.91

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	85X6005	30	1		7.870	4.560	3.850	3.850	3.850	3d
Newark		IKW40N120T2FKSA1	268	1		8.570	5.410	4.550	4.310	4.310
Rochester Electronics		IKW40N120T2FKSA1	64					3.410	3.050	2.870	20h
Arrow Electronics		IKW40N120T2FKSA1	2,673	1		7.206	4.406	3.747	3.285	3.285
DigiKey		IKW40N120T2FKSA1-ND	2,750	1	Tube	10.280	10.280	5.989	4.354	3.894

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-11-21

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IKW40N120T2FKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

IGBT Transistors; INFINEON; IKW40N120T2; 1.2 kV; Single; 75 A; TO-247-3

Maritex

IKW40N120T2 Series 1200 V 75 A IGBT in 2nd Generation TrenchStop - TO-247-3

Future Electronics

1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Infineon IKW40N120T2FKSA1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

TodayComponents

IGBT+ DIODE,1200V,40A,TO247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:480W

element14 APAC

Hard-switching 1200 V, 40 A TRENCHSTOP™ IGBT4 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package, provides significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Infineon