Infineon IKP20N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
$ 1.666
Obsolete
メーカーページデータシート

価格と在庫

すべての値下げ情報を見る
DistributorSKUMinPkg
NewarkIKP20N65H5XKSA1131
Rochester ElectronicsIKP20N65H5XKSA1140
9h
Arrow ElectronicsIKP20N65H5XKSA1441
DigiKey448-IKP20N65H5XKSA1-ND3911Tube
AvnetIKP20N65H5XKSA10500
12h

データシート & ドキュメント

Infineon IKP20N65H5XKSA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet17ページ0年前

TME

在庫履歴

3か月間の傾向:
-15.16%
Powered bySpectra logo

CADモデル

製造元 Infineon IKP20N65H5XKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
EE Concierge
シンボルフットプリント
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

関連部品

InfineonIKP20N65F5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
詳細
InfineonIKP15N65H5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
詳細
InfineonIKP15N65F5XKSA1
Infineon IKP15N65F5XKSA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole
詳細
STMicroelectronicsSTGP20V60DF
IGBT 600V 40A 167W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 40 A 167 W Through Hole TO-220
詳細
STMicroelectronicsSTGP10M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
詳細
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
詳細

説明

Infineon IKP20N65H5XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Semicontronic
650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
High Speed 650 V, 20 A hard-switching IGBT TRENCHSTOPTM 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-220 package, is defined as "best-in-class" IGBT.
Infineon
IGBT, SINGLE, 650V, 42A, TO-220; DC Collector Current: 42A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.65V; Power Dissipation Pd: 125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins
Farnell
Igbt, Single, 650V, 42A, To-220; Continuous Collector Current:42A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:125W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1
Newark

画像

element14 APAC
TME
Future Electronics
LZChips
UTSource

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • IKP20N65H5
  • SP001133078