Infineon IKP06N60TXKSA1

Name: Infineon IKP06N60TXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IKP06N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.563

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	39AH8882	425	1		1.930	0.923	0.825	0.563	0.563	3d
Newark		IKP06N60TXKSA1	1,164	1		1.930	0.923	0.825	0.563	0.563
Arrow Electronics		IKP06N60TXKSA1	482	1		0.657	0.657	0.657	0.657	0.657
Rochester Electronics		IKP06N60TXKSA1	3,795					0.650	0.539	0.481	9h
DigiKey		448-IKP06N60TXKSA1-ND	1,348	1	Tube	1.980	1.980	0.849	0.615	0.615

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-10-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

説明

Infineon IKP06N60TXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Infineon IKP06N60TXKSA1 IGBT, 6 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

TodayComponents

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

IGBT, N, 600V, 6A, TO-220; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:88W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220; Current Ic Continuous a Max:6A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC

Hard-switching 600 V, 6 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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