Infineon IKD10N60RFATMA1

Name: Infineon IKD10N60RFATMA1
Brand: Infineon
SKU: IKD10N60RFATMA1

150W 20A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

$ 0.604

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IKD10N60RFATMA1	6,467	1	Cut Tape	1.620	0.921	0.655	0.550	0.550
Arrow Electronics		IKD10N60RFATMA1	2,500	1		0.656	0.656	0.656	0.656	0.656
Rochester Electronics		IKD10N60RFATMA1	102					0.728	0.604	0.539	4h
DigiKey	2	IKD10N60RFATMA1CT-ND	2,339	1	Cut Tape	2.150	1.374	0.929	0.677	0.677
Avnet		IKD10N60RFATMA1	0	2500						0.564	2d

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IHS

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Infineon

TME

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-02-24

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IKD10N60RFATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

150W 20A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

Fly-Wing Technology

Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252

IHS

IGBT, 20 A, 1.2 V, 150 W, 600 V, TO-252, 3 Pins

Avnet

Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT 600 V PG-TO252-3

TodayComponents

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Digi-ic_SMART PIONEER

晶体管, IGBT, 600V, 20A, 150W, TO-252;

element14 APAC

IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN

Vigor Components

IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3

DigiKey

The RC-Drives 600 V, 10 A hard-switching IGBT3 with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO252 package, has been developed by Infineon as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.

Infineon

Igbt, Single, 600V, 20A, To-252; Continuous Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.2V; Power Dissipation:150W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1

Newark