Infineon IHW30N65R5XKSA1

Name: Infineon IHW30N65R5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IHW30N65R5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

$ 1.322

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IHW30N65R5XKSA1	39,095					1.480	1.230	1.100	8h
DigiKey	IHW30N65R5XKSA1-ND	389	1	Tube	4.230	4.230	2.299	1.559	1.246
Newark	IHW30N65R5XKSA1	0	1		3.500	2.100	1.790	1.700	1.700
Avnet	IHW30N65R5XKSA1	0	480					1.212	1.091	10h
Arrow Electronics	IHW30N65R5XKSA1	0	240					1.315	1.263

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2015-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IHW30N65R5XKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

Infineon combines the industry leading performance of the TRENCHSTOP™ 5 family with the technology innovation of the reverse conducting RC-H IGBTs to create a new generation of best-in-class devices, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Igbt, Single, 650V, 60A, To-247; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.35V; Power Dissipation:176W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IHW30N65R5XKSA1

Newark

The Reverse Conducting R5 650 V, 30 A RC-H5 IGBTs with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO-247 package has been optimized for the demanding requirements of Induction Cooking applications. With a monolithically integrated diode, the 650 V RC-H5 IGBTs are perfectly suited for soft switching applications such as induction cooking stoves and inverterized microwave ovens. The RC-H5 IGBT complement the previous generation of reverse conduction IGBTs and extend the performance leadership of the RC-H family, focusing on system efficiency and reliability

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