Infineon FZ600R17KE3HOSA1

Name: Infineon FZ600R17KE3HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FZ600R17KE3HOSA1

62 mm 1700 V, 600 A single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT 3 and Emitter Controlled 3 diode.

$ 143.13

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	FZ600R17KE3HOSA1	40	10			148.02	140.97	136.92	136.92	1d
Future Electronics	FZ600R17KE3HOSA1	0	10	Tray		146.67	143.13	143.13	143.13
Arrow Electronics	FZ600R17KE3HOSA1	0	10			157.02	152.64	148.24	145.29
Farnell	FZ600R17KE3HOSA1	0	1		273.80*	230.31*	230.31*	230.31*	230.31*	2h
Mouser	641-FZ600R17KE3	79	1	Tray	195.31	156.48	156.48	156.48	156.48

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サプライチェーン

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-09-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

説明

Infineon FZ600R17KE3HOSA1の詳細は販売業者から提供されます。

62 mm 1700 V, 600 A single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT 3 and Emitter Controlled 3 diode.

Infineon

62 mm C-Series 1700 V 600 A 3150 W Chassis Mount Trench Field Stop IGBT Module

Future Electronics

IGBT Modules; INFINEON; FZ600R17KE3; 10; 2 V; 1.7 kV; 3.15 kW

Maritex

Trans IGBT Module N-CH 1700V 840A 3150000mW 4-Pin 62MM-2 Tray

Verical

1700 V, 600 A single switch IGBT module, AG-62MM-2, RoHS

Infineon SCT

Transistor IGBT Module N-CH 1.7kV 840A ±20V Screw Tray

Avnet Japan

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1070A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

IHS

3.12KW 2.45V 1.7KV 840A AG-62MM-2 106.4mm*61.4mm*36.5mm

UnikeyIC

IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM

Win Source

Transistor, Igbt Module, 1.7Kv, 840A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:840A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2V; Power Dissipation Pd:3.15Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.7Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FZ600R17KE3HOSA1

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