Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1

Name: Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1
Brand: Infineon
SKU: FP35R12W2T7B11BOMA1

Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 Igbt, 35 A 1200 V AG-EASY2B

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		FP35R12W2T7B11BOMA1	294					33.420	29.900	28.140	16h
Arrow Electronics	2	FP35R12W2T7B11BOMA1	15	1		48.595	39.099	39.099	39.099	39.099
DigiKey		448-FP35R12W2T7B11BOMA1-ND	6	1	Tray	58.340	58.340	42.195	35.777	35.777
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Avnet		FP35R12W2T7B11BOMA1	0	15				35.174	33.415	33.415	18h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Thailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-02-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Infineon FP35R12W2T7B11BOMA1 IGBT, 35 A 1200 V AG-EASY2B

TodayComponents

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 23-Pin Tray

Verical

IGBT MODULE, SEVEN N CHANNEL, 1.2KV, 35A;

Farnell

IGBT MOD 1200V 35A AG-EASY2B-2

DigiKey

Igbt Mod, 1.2Kv, 35A; Continuous Collector Current:35A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:175°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FP35R12W2T7B11BOMA1

Newark