データシート & ドキュメント
Infineon FP35R12KT4のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。
公式データシート2年前
サプライチェーン
Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
説明
Infineon FP35R12KT4の詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
210W 1.85V hex 1.2KV 35A AG-ECONO2-4 107.5mm*45mm*17mm
IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBT, L POWER, 1200V, 35A, ECONOPIM; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:210W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:EconoPIM; No. of Pins:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:210W
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Number of Pins23
Number of Terminals23
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Max Collector Current35 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Number of Elements7
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