Infineon FM24V10-G

Name: Infineon FM24V10-G
Brand: Infineon
SKU: FM24V10-G

Ferroelectric RAM (FRAM), 1 Mbit (128K x 8) I2C, 3.4 MHz, 2 V to 3.6 V Supply, SOIC-8

$ 11.378

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	FM24V10-G	132	485				11.497	10.850	1d
Newark		FM24V10-G	235	1	14.780	14.780	14.780	14.780	14.780
Arrow Electronics	3	FM24V10-G	715	1	14.913	13.566	13.297	13.109	13.109
Rutronik		ICPROM10814	388	97			21.330	19.040	19.040	9h
Rochester Electronics	2	FM24V10-G	244				10.860	9.720	9.140	2h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeNone

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon FM24V10-Gの詳細は販売業者から提供されます。

Ferroelectric RAM (FRAM), 1 Mbit (128K x 8) I2C, 3.4 MHz, 2 V to 3.6 V Supply, SOIC-8

EBV Elektronik

FRAM 1Mbit Serial-I2C Interface 3.3V 8-Pin SOIC Tube

Verical

NVRAM FRAM Serial-2Wire 1M-Bit 3V/3.3V 8-Pin SOIC

Avnet

Ferroelectric Ram, I2C, 1Mbit, Soic-8; Memory Configuration:128K X 8Bit; Interfaces:I2C; Clock Frequency Max:3.4Mhz; Supply Voltage Min:2V; Supply Voltage Max:3.6V; Ic Case/Package:Soic; No. Of Pins:8Pins; Ic Mounting:Surface Mountrohs Compliant: Yes |Cypress Infineon Technologies FM24V10-G

Newark

The FM24V10-G is a 1-Mbit nonvolatile memory utilizing advanced ferroelectric technology. As a ferroelectric random access memory (F-RAM), it provides reliable data retention for 151 years and eliminates complexities associated with EEPROM and other nonvolatile memories. With write operations at bus speed and no write delays, it offers substantial write endurance and lower power consumption during writes compared to EEPROM. Capable of supporting 1014 read/write cycles, it is ideal for applications requiring frequent or rapid writes, such as data logging and industrial controls. The FM24V10-G enables more frequent data writing with less system overhead, making it a reliable choice for nonvolatile memory applications.

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