Infineon FF200R12KT3HOSA1

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray
$ 119.365
NRND
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Infineon

Datasheet1ページ14年前

IHS

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代替部品

部品
代替部品
InfineonFF200R12KT3HOSA1
InfineonFF200R12KT3EHOSA1
Price @ 1000
$ 119.365
$ 121.423
Stock
96,310
56,313
Authorized Distributors
5
3
Mount
Screw
Screw
Case/Package
Module
Module
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
-
Max Collector Current
295 A
295 A
Power Dissipation
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.15 V
2.15 V
Reverse Recovery Time
-
-

サプライチェーン

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-18
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 weeks ago)

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説明

Infineon FF200R12KT3HOSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray
Avnet
Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 295A 7-pin 62MM-1
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1200 V dual IGBT module, AG-62MM-1-7, RoHS
Infineon SCT
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62 mm 1200 V, 200 A dual switch IGBT modules with fast TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled high efficiency diode. Also available as variation with common emitter: FF200R12KT3_E.
Infineon
Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 295A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FF200R12KT3HOSA1
Newark

画像

Augswan
UTSource
LZChips
Farnell

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります：

  • FF200R12KT3
  • SP000100789