Infineon FF1400R17IP4BOSA1

Name: Infineon FF1400R17IP4BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF1400R17IP4BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 9550000mW 12-Pin Tray

$ 709.03

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Farnell	FF1400R17IP4BOSA1	0	1		996.70*	996.70*	996.70*	996.70*	996.70*	4h

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サプライチェーン

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-07-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon FF1400R17IP4BOSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA 9550000mW 12-Pin Tray

Verical

IGBT MODULE VCES 1200V 1400A / Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.4KA

Win Source

Transistor IGBT Module N-CH 1700V 1400A 20V Screw Mount Tray

EBV Elektronik

1700 V half-bridge dual IGBT module, AG-PRIME3-1, RoHS

Infineon SCT

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1400A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel

IHS

IGBT Modules IGBT Module 1400A 1700V

Utmel Electronic

IGBT MOD 1700V 1400A 955000W MOD

DigiKey

9.55KW 1.75V 1.7KV 1.4KA 250mm*89mm*38mm

UnikeyIC

Igbt, Module, N-Ch, 1.7Kv, 1.4Ka; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:1.4Ka; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.75V; Power Dissipation Pd:9.55Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.7Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FF1400R17IP4BOSA1

Newark

1700V PrimePACK3 dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and NTC. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T(tvj op); High DC Stability; High Current Density; Low Switching Losses; V(vj op) = 150C; Low Vce(sat); Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances; High Power and Thermal Cycling Capability; Copper Base Plate; UL recognized | Benefits: High Power Density; Standardized housing | Target Applications: drives; wind; solar; cav; ups

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