Infineon FD150R12RT4HOSA1

Name: Infineon FD150R12RT4HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FD150R12RT4HOSA1

INFINEON FD150R12RT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

$ 73.64

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		FD150R12RT4HOSA1	7,397					82.310	73.640	69.310	13h
Farnell		FD150R12RT4HOSA1	0	1		117.77*	115.41*	115.41*	115.41*	115.41*	12h
Microchip USA		FD150R12RT4HOSA1	323	50	Tray			65.961	65.961	65.961	1d
Verical	2	FD150R12RT4HOSA1	1,440	25				102.89	92.050	86.638
Win Source		WS-FD150R12RT4HOSA1	20	1		95.938	77.950	77.950	77.950	77.950	14h

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Infineon

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-08-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon FD150R12RT4HOSA1の詳細は販売業者から提供されます。

INFINEON FD150R12RT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV

Jak Electronics

Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 5-Pin 34MM-1 Tray

Verical

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 150A ±20V Screw Tray

Avnet Japan

Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

TodayComponents

IGBT Module, 1.2KV, 150A, MODULE

Newark

IGBT MOD 1200V 150A 790W / IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 150 A 790 W Chassis Mount Module

Win Source

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A

Farnell

Our well-known 34 mm 1200V chopper IGBT modules with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode are the right choice for your design. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T vj op; Low Switching Losses; Low V CEsat; T vj op = 150C; V CEsat with positive Temperature Coefficient; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; cav; ups; induction-heating; welding

Infineon

IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:790W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Module Configuration:Single; Power Dissipation Max:790W

element14 APAC