CADモデル
製造元 Infineon BUZ31LHXKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
説明
Infineon BUZ31LHXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 200V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 200V, 13.5A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13.5A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 5V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation95 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation95 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time80 ns
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time210 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height9.45 mm
Length10.36 mm
Width4.57 mm