Infineon BSZ150N10LS3GATMA1

Name: Infineon BSZ150N10LS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ150N10LS3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Future Electronics	2	BSZ150N10LS3GATMA1	65,000	5K	Tape & Reel					0.565
Rochester Electronics		BSZ150N10LS3GATMA1	1,613					0.746	0.619	0.552	18h
Arrow Electronics	2	BSZ150N10LS3GATMA1	5,569	1		1.626	1.159	0.842	0.634	0.553
Newark	2	BSZ150N10LS3GATMA1	0	5	Cut Tape		1.290	0.895	0.895	0.895
Avnet		BSZ150N10LS3GATMA1	0	5K						0.538	20h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-01-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon BSZ150N10LS3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.013 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7

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