Infineon BSZ096N10LS5ATMA1

Name: Infineon BSZ096N10LS5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ096N10LS5ATMA1

OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package, PG-TSDSON-8, RoHS

$ 0.73

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BSZ096N10LS5ATMA1	5,000	5K						0.548	2d
Newark		BSZ096N10LS5ATMA1	2,634	1	Cut Tape	2.480	1.680	1.220	0.999	0.999
Arrow Electronics	2	BSZ096N10LS5ATMA1	8,507	1		0.714	0.714	0.714	0.714	0.714
Future Electronics	2	BSZ096N10LS5ATMA1	5,000	5K	Tape & Reel					0.960
Rochester Electronics		BSZ096N10LS5ATMA1	70,570					0.822	0.682	0.608	22h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-04-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BSZ096N10LS5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package, PG-TSDSON-8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, 150DEG C, 69W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power Dissipation Pd: 69W; Transistor Case Style: TSDSON-FL; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Farnell

Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Infineon