Infineon BSZ0804LSATMA1
$ 0.737
Obsolete
CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-10-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
説明
Infineon BSZ0804LSATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Mosfet, N-Ch, 100V, 40A, Tsdson-Fl Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ0804LSATMA1
Transistor MOSFET N-Channel 100V 40A 8-Pin TSDSON
Infineon NChannelMOSTube, Vds=100 V, 40 A, TSDSON-8 FLencapsulation, surface mount, 8Pin
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1 mm 2.1 W 1 5.7 ns 21 ns 150 °C -55 °C 8.2 mΩ
IC REG LIN 3.3V 100MA TSOT23-5
N-CH 100V 40A 8,2mOhm TSDSON8FL
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.Click here to view full portfolio.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance9.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.1 W
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1 mm