Infineon BSZ050N03LSGATMA1

Name: Infineon BSZ050N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ050N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8

$ 0.285

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BSZ050N03LSGATMA1	14,592	1		1.060	0.657	0.428	0.299	0.224
Future Electronics	2	BSZ050N03LSGATMA1	10,000	5K	Tape & Reel					0.330
Rochester Electronics		BSZ050N03LSGATMA1	127,248					0.275	0.229	0.204	4h
DigiKey	3	BSZ050N03LSGATMA1CT-ND	5,763	1	Cut Tape	1.080	0.673	0.439	0.306	0.279
Avnet		BSZ050N03LSGATMA1	0	5K						0.177	6h

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Newark

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Farnell

element14 APAC

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EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-07-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

説明

Infineon BSZ050N03LSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8

Epart123

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON T/R

Avnet

30V 16A 2.1W 5m´Î@10V20A 2.2V@250Ã×A N Channel PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS

Dasenic

40 A 30 V 0.0078 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Ch 16A 30V OptiMOS3 TSDSON8EP

RS APAC

2.1W(Ta),50W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 30V 5m¦¸@ 20A,10V 40A 2.8nF@15V SON 3.3mm*3.3mm*1.1mm

UnikeyIC

BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

ODG (Origin Data Global)

MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

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Infineon