CADモデル
製造元 Infineon BSS306NH6327XTSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
STMicroelectronicsSTR2P3LLH6
P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
説明
Infineon BSS306NH6327XTSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
OPTIMOS2 SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 30V, 2.3A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality requirements in well-known industry standard packages. With unmatched levels of reliability and manufacturing capacity these components are ideally suited for a wide variety of applications including LED Lighting, ADAS, body control units, SMPS and motor control.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 2.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 93 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 1.4 / Rise Time ns = 2.3 / Turn-OFF Delay Time ns = 8.3 / Turn-ON Delay Time ns = 4.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance57 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance207 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT23
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance57 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation500 mW
Rds On Max57 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time8.3 ns
Turn-On Delay Time4.4 ns
Dimensions
Height1.1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント