Infineon BSD223PH6327XTSA1

Name: Infineon BSD223PH6327XTSA1
Brand: Infineon
SKU: BSD223PH6327XTSA1

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

$ 0.076

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	12AC9450	80,314	1		0.392	0.248	0.164	0.128	0.128	15h
Newark	2	BSD223PH6327XTSA1	80,314	1	Cut Tape	0.022	0.022	0.022	0.022	0.022
Arrow Electronics	2	BSD223PH6327XTSA1	22,150	1		0.062	0.059	0.059	0.059	0.059
Rutronik		TMOSS6554	15,000	3K						0.057	20h
Rochester Electronics		BSD223PH6327XTSA1	1,480					0.067	0.056	0.050	12h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date2002-07-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2007-09-30

LTD Date2008-03-31

説明

Infineon BSD223PH6327XTSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R

EBV Elektronik

Dual P-Channel -20 V 1.2 Ohm -0.39 A OptiMOS Small-Signal-Transistor-PG-SOT363-6

Future Electronics

OPTIMOS-P SMALL-SIGNAL-TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.39A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

Mosfet, P-Ch, 20V, 0.39A, 150Deg C/0.25W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:390Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900Mv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD223PH6327XTSA1

Newark

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon