Infineon BSC196N10NSGATMA1

Name: Infineon BSC196N10NSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC196N10NSGATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)

$ 0.542

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rutronik		TMOSP9608	5,000	5K						0.544	12h
Rochester Electronics		BSC196N10NSGATMA1	44,359					0.633	0.526	0.469	4h
Arrow Electronics		BSC196N10NSGATMA1	15,314	1		1.353	0.959	0.650	0.467	0.467
DigiKey	3	BSC196N10NSGATMA1CT-ND	541	1	Cut Tape	2.300	1.461	0.983	0.777	0.777
Farnell		BSC196N10NSGATMA1	1,730	1		1.791*	1.204*	0.821*	0.606*	0.606*	4h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-10-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2025-03-31

LTD Date2025-09-30

説明

Infineon BSC196N10NSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC196N10NSGATMA1)

Component Sense

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

MOSFET, N CH, 100V, 45A, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:78W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:45A; Power Dissipation Pd:78W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

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