Infineon BSC100N03MSGATMA1

Name: Infineon BSC100N03MSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC100N03MSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; 30W; PG-TDSON-8

$ 0.493

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		BSC100N03MSGATMA1	4,608	1		0.961	0.656	0.551	0.493	0.470
DigiKey	2	BSC100N03MSGATMA1CT-ND	4	1	Cut Tape	1.250	1.250	1.250	1.250	1.250
Rochester Electronics		BSC100N03MSGATMA1	73,242								5h
Farnell	3	BSC100N03MSGATMA1	45	1	Cut Tape	1.308*	0.817*	0.817*	0.817*	0.817*	16h
Mouser	2	726-BSC100N03MSGATMA	15,708	1	Tape & Reel	1.140	0.712	0.593	0.535	0.286

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-10-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

説明

Infineon BSC100N03MSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; 30W; PG-TDSON-8

Epart123

OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 44A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:44A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon