Infineon BSC0921NDIATMA1

Name: Infineon BSC0921NDIATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC0921NDIATMA1

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 40A 8-Pin TISON T/R

$ 0.666

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	13AC8337	411	1		1.990	1.300	0.909	0.723	0.723	4d
Newark		BSC0921NDIATMA1	411	1	Cut Tape	1.980	1.300	0.937	0.670	0.670
Arrow Electronics	2	BSC0921NDIATMA1	5,104	1		0.584	0.584	0.584	0.584	0.584
Future Electronics	2	BSC0921NDIATMA1	10,000	5K	Tape & Reel					0.515
Rochester Electronics		BSC0921NDIATMA1	44,663					0.734	0.610	0.544	20h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-04-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BSC0921NDIATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 40A 8-Pin TISON T/R

EBV Elektronik

2.5W 20V 2V 5.9nC@ 4.5V @ Q1,22nC@ 4.5V @ Q2 1N,2N 30V 5m¦¸@ 10V @ Q 1,1.6m¦¸@ 10V @ Q 2m¦¸ 40A 770pF@ 15V @ Q 1,2.7nF@ 15V @ Q 2 SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm

UnikeyIC

MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 40A, TISON; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 3.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V;

Farnell

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

Mosfet, N-Ch, 30V, 40A, 150Deg C, 2.5W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:30V; Continuous Drain Current Id N Channel:40A; Continuous Drain Current Id P Channel:40A Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1

Newark