Infineon BSC084P03NS3GATMA1

Name: Infineon BSC084P03NS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC084P03NS3GATMA1

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -78.6A; 69W; PG-TDSON-8

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	12AC9446	29	1		1.320	0.916	0.653	0.526	0.526	14h
Newark		BSC084P03NS3GATMA1	29	1	Cut Tape	0.382	0.382	0.382	0.382	0.382
Arrow Electronics	2	BSC084P03NS3GATMA1	4,145	1		0.419	0.419	0.419	0.419	0.419
Rochester Electronics		BSC084P03NS3GATMA1	4					0.483	0.401	0.357	12h
DigiKey	2	BSC084P03NS3GATMA1CT-ND	3,085	1	Cut Tape	1.610	1.019	0.678	0.485	0.445

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-04-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon BSC084P03NS3GATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -78.6A; 69W; PG-TDSON-8

Epart123

Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

2.5W 25V 43nC@ 10V 1P 30V 8.4m¦¸@ 10V 3.19nF@ 15V SON , 5.15mm*590cm*1mm

UnikeyIC

MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3

Digi-ic_SMART PIONEER

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Infineon MOSFET BSC084P03NS3GATMA1

RS APAC

Mosfet, P-Ch, 30V, 78.6A, 150Deg C, 69W; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:78.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.5V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC084P03NS3GATMA1

Newark

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs.These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Infineon