CADモデル
製造元 Infineon BSC0302LSATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
説明
Infineon BSC0302LSATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor MOSFET N-Channel 120V 99A 8-Pin SOIC
Mosfet, N-Ch, 120V, 99A, Pg-Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC0302LSATMA1
MOSFET, N-CH, 120V, 99A, PG-TDSON; Available until stocks are exhausted
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications. The products offer fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.Click here to view full portfolio.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Contact PlatingTin
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)99 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1 mm