Infineon BSC028N06NSTATMA1

Name: Infineon BSC028N06NSTATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC028N06NSTATMA1

60 V 24 A 100 A 3 W 2.8mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - PG-TDSON-8

$ 1.1

EOL

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	93AC6985	76	1		3.370	2.340	1.740	1.520	1.520	2d
Newark	2	BSC028N06NSTATMA1	76	1	Cut Tape	3.370	2.340	1.940	1.940	1.940
Rochester Electronics		BSC028N06NSTATMA1	17,804					1.220	1.010	0.903	17h
DigiKey	3	BSC028N06NSTATMA1CT-ND	19,008	1	Cut Tape	3.160	2.049	1.414	1.098	1.098
Future Electronics	2	BSC028N06NSTATMA1	0	5K	Tape & Reel					1.800

在庫履歴

3か月間の傾向 : +25.75%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon BSC028N06NSTATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet9ページ13年前

在庫履歴

3か月間の傾向:

+25.75%

CADモデル

製造元 Infineon BSC028N06NSTATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-01-18

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-09-30

LTD Date2027-03-31

説明

Infineon BSC028N06NSTATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

60 V 24 A 100 A 3 W 2.8mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - PG-TDSON-8

Future Electronics

Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R

Avnet

OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TDSON EP

Verical

MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON / N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 137A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

3W 20V 37nC@ 10V 60V 2.8m¦¸@ 10V 2.7nF@ 30V TDSON-8-EP

UnikeyIC

Infineon MOSFET BSC028N06NSTATMA1

RS APAC

N-CH 60V 100A 2,3mOhm SuperSO8

Rutronik

BSC028N06 - N-CHANNEL POWER MOSF

DigiKey Marketplace

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC028N06NSTATMA1

Newark

OptiMOS™ 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness.Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.

Infineon