Infineon BSC027N06LS5ATMA1

Name: Infineon BSC027N06LS5ATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC027N06LS5ATMA1

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1

$ 1.021

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	BSC027N06LS5ATMA1	5,955	5	Cut Tape		1.950	1.340	1.230	1.230
Arrow Electronics		BSC027N06LS5ATMA1	810	1		2.512	1.661	1.229	1.013	1.013
Future Electronics	2	BSC027N06LS5ATMA1	10,000	5K	Tape & Reel					0.865
Rochester Electronics		BSC027N06LS5ATMA1	10,194					1.140	0.946	0.844	17h
DigiKey	3	BSC027N06LS5ATMA1CT-ND	73,474	1	Cut Tape	3.020	1.951	1.344	1.030	1.030

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BSC027N06LS5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, Tdson Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC027N06LS5ATMA1

Newark

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TDSON, Surface Mount

Avnet

Transistor MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R

Avnet Japan

OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level provide low RDS(on) in a small package, PG-TDSON-8, RoHS

Infineon SCT

83W(Tc) 20V 2.3V@ 49¦ÌA 30nC@ 4.5V 1N 60V 2.7m¦¸@ 50A,10V 100A 4.4nF@30V TDSON-8

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 134A I(D), 60V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFETs logic level are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers.

Infineon