価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BSC026NE2LS5ATMA1 | 734 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BSC026NE2LS5ATMA1 | 4,790 | 1 | |||||||||
| DigiKey | BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND | 16,601 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BSC026NE2LS5ATMA1 | 0 | 5K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | BSC026NE2LS5ATMA1 | 0 | 5K | Tape & Reel |
CADモデル
製造元 Infineon BSC026NE2LS5ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | 3D | ダウンロード |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-03-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
NXP SemiconductorsPSMN1R7-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFH4255DTRPBF
25V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5mm x 6mm Lead Free package, PG-TISON-8, RoHS
NexperiaPSMN2R0-25MLDX
N-channel 25 V, 2.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology
説明
Infineon BSC026NE2LS5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 82 A, 0.0022 ohm, TDSON, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin TDSON T/R
Avnet Japan
25V 24A 2.5W 2.6mΩ@10V,30A 2V@250uA 1 N-Channel TDSON-8(5.9x5.2) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 25V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS, Vds=25 V, 82 A, SuperSO8 5 x 6, , 8
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Mosfet, N-Ch, 25V, 82A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:82A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.6V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance780 pF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation29 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.6 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time3 ns
Dimensions
Height1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント