Infineon BSC017N04NSGATMA1

Name: Infineon BSC017N04NSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC017N04NSGATMA1

Mosfet N-ch 40V 100A TDSON-8 / Trans Mosfet N-ch 40V 30A 8-PIN Tdson Ep T/r

$ 0.979

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		BSC017N04NSGATMA1	16,479					1.180	0.979	0.873	26m
Farnell		BSC017N04NSGATMA1	0	1		1.240*	1.026*	0.921*	0.793*	0.793*	1d
Win Source	2	WS-BSC017N04NS G	5,000	40				1.189	0.966	0.966	1h
Worldway Electronics		BSC017N04NSGATMA1	18,134	7	Tape & Reel		0.271	0.263	0.249	0.249	1d
IC Components Ltd.		BSC017N04NSG	86,400			9.020	9.020	9.020	9.020	9.020	2d

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2007-12-14

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon BSC017N04NSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.

Infineon

MOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N; Current Id Max:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Voltage Vgs Max:20V; Power Dissipation:139W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON-8; No. of Pins:8; Transistor Type:Power MOSFET

Farnell