価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BSC015NE2LS5IATMA1 | 4,974 | 1 | |||||||||
| Newark | BSC015NE2LS5IATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSC015NE2LS5IATMA1 | 0 | 5K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BSC015NE2LS5IATMA1 | 0 | 5K | 2d | ||||||||
| Farnell | BSC015NE2LS5IATMA1 | 0 | 1 | Cut Tape | 3h |
CADモデル
製造元 Infineon BSC015NE2LS5IATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 Ultra Librarian | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)
関連部品
InfineonIRFH4226TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5 x 6 B package, PG-TDSON-8, RoHS
NexperiaPSMN2R0-25MLDX
N-channel 25 V, 2.1 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 using NextPowerS3 Technology
NXP SemiconductorsPSMN1R7-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
Infineon BSC015NE2LS5IATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Transistor Power MOSFET N-Channel 25V 147A 8-Pin SuperSO T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 33A 8-Pin TDSON T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 25V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon MOSFET BSC015NE2LS5IATMA1
N-CH 25V 100A 1,5mOhm SuperSO8
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Mosfet, n-Ch,25V,100A,150Deg C,50W, transistor Polarity-N Channel, continuous Drain Current Id-100A, drain Source Voltage Vds-25V, on Resistance Rdson-0.0013Ohm, rdson Test Voltage Vgs-10V, threshold Voltage Vgs-2V, power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC015NE2LS5IATMA1
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.5 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height1 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント